编号：清设报第201031号
清华大学拟对购置国产磁控溅射台和等离子体化学气相淀积台项目进行招标，欢迎具有相应资质的单位报名参与投标。项目情况及相关要求如下：
一、项目简介
清华大学电子工程系拟购置国产磁控溅射台和等离子体化学气相淀积台各一台，主要用于进行金属薄膜、合金薄膜、介质薄膜、半导体薄膜的制备以及硅基介质和半导体材料的生长等工作。
二、招标内容
A包：磁控溅射台一台，参数要求：
1. 设备极限真空6×10-5Pa，关机12小时真空度≤5Pa；
2. 三支 ￠85磁控溅射靶（射频溅射与直流兼容）；
3. 工作模式：可以采用单靶独立、多靶轮流或组合共溅、向心溅射；
4. 磁控溅射靶面与基片的距离可调60～90mm，并有调位距离指示；
5. 配有超薄溅射工艺（5nm～10 nm）和超厚溅射工艺（≥10μm）；
6. 配有溅射薄膜高强度附着力工艺（6kg/cm2）；
7. 载片量：≤6吋单片，溅射均匀性： ≤±1％。
B包：等离子体化学气相淀积台一台，参数要求：
1. 极限真空可达9×10-5Pa；
2. 能实现原子层淀积（ALD）并配有金刚石、类金刚石、碳纳米管工艺；
3. 基片台加热温度≥ 1000℃，热均匀区≥?260mm，10寸淀积均匀性≤±2％；
4. 气路系统：六路MFC质量流量计控制器六路进气。
三、资格预审要求
1．投标单位应为设备制造企业，独立法人，注册资金100万元（含）以上；
2．投标单位为北京地区高新技术企业；
3．投标单位营业执照（复印件，加盖公章）；
4．近三年高校业绩（合同复印件）。
报名时需提交以上资料，招标单位根据以上证明资料进行资格预审，招标人将从资格预审通过者中遴选邀请对象，未被邀请者恕不另行通知。
四、报名时间与地点
报名时间：2010年6月4日－2010年6月23日（每天上午9:00-12:00，下午1:00-4:00，节假日休息）
报名地点：清华大学仪器设备招标管理办公室
（清华大学校园内9号楼二层203房间）
五、联系方式
联 系 人：王老师，刘老师 联系电话：010－62785713，62791150







批复文号来源：北京市招投标信息平台